設備簡介：
◆ KLA Candela?8520表面缺陷及EPI外延缺陷檢測設備是針對化合物半導體行業（Si硅片及SiC基片及SiC外延片）的缺陷檢查分析設備。該設備利用激光掃描樣品的整個表面，通過多組頻道（散射光頻道、反射光頻道、相移頻道及Z頻道）的探測器所收集到的信號，快速的將缺陷（包括微粒、劃傷、坑點、污染、痕跡等）進行分類，統計每一種缺陷的數量并且量測出相應的缺陷尺寸，后給出整個表面的缺陷分布圖以及檢測報告。根據預先設定的標準，可以給出檢測樣品合格與否的判斷。同時可以添加的PL功能可以針對化合物外延材料進行高精度的外延缺陷檢測，在化合物外延領域擁有很高的市場占有率。
◆ 適用于Si晶圓，SiC基片及SiC外延片表面缺陷及EPI外延缺陷的檢測分析，包含微粒、劃傷、坑點、污染、痕跡，同時也可以添加PL功能用以檢測某些GaN EPI缺陷及SiC EPI缺陷。該設備可以兼容透明片和不透明片。
