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薄膜沉積設備
產品概述： Plasma-Therm是致力于PECVD / ICPCVD(HDPCVD)的世界知名設備提供商， 產品涵蓋2”~ 8”主流PECVD / ICPCVD(HDPCVD)薄膜生長工藝。銷售聯系方式：李安芃 18918393270。
設備介紹：

Plasma-therm PECVD / ICPCVD薄膜沉積設備

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Plasma-Therm是致力于PECVD / ICPCVD(HDPCVD)的世界知名設備提供商， 產品涵蓋2”~ 8”主流PECVD / ICPCVD(HDPCVD)薄膜生長工藝，廣泛應用于三五族(GaAs / SiC )、GaN功率及射頻器件、VCSELs器件等化合物產業及MEMS和Si基半導體產業。

儀器簡介：

◆配置：2”~8” 手動 / 半自動 / 全自動(片盒對片盒) / 全自動多腔(片盒對片盒) 

◆領域 :三五族(GaAs / SiC)，GaN功率及射頻器件、VCSELs的器件等化合物產業及MEMS和Si基半導體產業等

◆制程 : PECVD / ICPCVD(HDPCVD)

儀器特點：

◆ Plasma-Therm公司有將近40年研發及制造PECVD相關設備的歷史

◆ Plasma-Therm設備具有高穩定性與高可靠度

◆ Plasma-Therm自有的軟硬件設計及完善QC系統

◆ Plasma-Therm設備配置靈活，包含手動、半自動、全自動(片盒對片盒)型號滿足實驗室研發及量產客戶需求

◆ Plasma-Therm設備在化合物半導體行業內高占有率：目前世界范圍內裝機數量超過2000臺

◆ Plasma-Therm PECVD / ICPCVD設備技術特性：

薄膜生長速率可調；

獨特的應力控制方法（低損傷應力控制）

啟輝功率低至8W，采用plasma發出的輝光作為斷點監控系統的光源，薄膜厚度實時監控

較優的片內厚度均勻性 < 1.5%

較優的批次間厚度均勻性 < 1.5%

◆Plasma-Therm連續15年被VLSI評為10 Best設備供應商

應用領域：

◆ 三五族(GaAs / SiC，GaN功率及射頻器件，InP器件等)

◆ MEMS微機電

◆ Si基半導體

◆ 石英基底的光通訊器件

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