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產(chǎn)品中心

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ALD原子層沉積設(shè)備
產(chǎn)品概述： Picosun是致力于ALD原子層沉積設(shè)備的世界知名設(shè)備提供商， 產(chǎn)品涵蓋2”~ 12”主流ALD工藝，廣泛應(yīng)用于三五族(GaN / SiC )功率及射頻器件、VCSELs器件等化合物產(chǎn)業(yè)，以及MEMS和Si基半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。銷售聯(lián)系方式：許鵬 18918393321。
設(shè)備簡介：

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Picosun是致力于ALD原子層沉積設(shè)備的世界知名設(shè)備提供商， 產(chǎn)品涵蓋2”~ 12”主流ALD工藝，廣泛應(yīng)用于三五族(GaN / SiC )功率及射頻器件、VCSELs器件等化合物產(chǎn)業(yè)，以及MEMS和Si基半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

儀器簡介：

◆配置：2”~12” 手動設(shè)備/ 全自動設(shè)備(片盒對片盒) / 全自動多腔設(shè)備(片盒對片盒搭配星型平臺) 

◆領(lǐng)域 : 三五族(GaN / SiC )功率及射頻器件、VCSELs器件等化合物產(chǎn)業(yè)，以及MEMS和Si基半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，及Mini LED / Micro LED產(chǎn)業(yè)等

◆ALD原子層沉積的主要材料：

?氧化物：Al2O3, AlxTiyOz, HfO2, In2O3, MgO, SiO2, SrTiOx, Ta2O5, TiO2, Y2O3, ZnO, ZnO:Al, ZrO2, La2O3, CeO2,

?氮化物：AlN, TiAlCN, TiN, TaNx, …

?金屬：Ir, Pd, Pt, Ru, …

?親水層或者疏水層：FDTS…

特點：

◆ Picosun公司有多年研發(fā)ALD設(shè)備的技術(shù)經(jīng)驗，團隊的主要技術(shù)人員由ALD技術(shù)的發(fā)明人Dr. Tuomo Suntola來帶領(lǐng)。

◆Picosun ALD設(shè)備具有高穩(wěn)定性與高可靠度

◆Picosun ALD設(shè)備具有成熟的軟硬件設(shè)計及完善QC系統(tǒng)

◆Picosun ALD設(shè)備配置靈活，包含手動、半自動、全自動多腔片盒對片盒)型號滿足實驗室研發(fā)及量產(chǎn)客戶需求

◆Picosun ALD設(shè)備在化合物半導(dǎo)體行業(yè)，MEMS行業(yè)，Micro LED / Micro OLED行業(yè)均有較高的占有率。


◆Picosun ALD設(shè)備主要技術(shù)優(yōu)勢：

?高深寬比的圖形電鍍能力，有成功案例用于深寬比>1000:1的圖形ALD工藝；

?ALD工藝的鍍膜均勻性一致性較佳；

?ALD工藝的step coverage較佳；

?設(shè)備的高穩(wěn)定性， uptime > 90%。

應(yīng)用領(lǐng)域：

◆ 三五族化合物半導(dǎo)體(SiC，GaN功率及射頻器件)

◆ MEMS微機電

◆ Si基的CMOS器件

◆ Micro LED

◆ Micro OLED

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