產品描述:
Corial Shuttleline?200系列是一個靈活且可擴展的平臺,適用于蝕刻和沉積工藝,大可處理8英寸晶圓,廣泛應用于故障分析、微機電 (MEMS)、光電子、較先進封裝、無線設備和功率半導體等領域。
Corial Shuttleline?200系列是一個靈活且可擴展的平臺,適用于蝕刻和沉積工藝,大可處理8英寸晶圓,廣泛應用于故障分析、微機電 (MEMS)、光電子、較先進封裝、無線設備和功率半導體等領域。
1.典型刻蝕材料:硅,氧化物,聚合物,III-V族化合物,II-VI族化合物,金屬,硬質材料等
2.應用領域 :故障分析、微機電 (MEMS)、光電子、較先進封裝、無線設備和功率半導體等
3.制程:RIE/ICP
1. 靈活可拓展的刻蝕工藝平臺,占地面積小
2. 獨立的RF和ICP發生器同時提供高刻蝕速率和低損傷控制
3. 側壁粗糙度佳,底角干凈,圖形角度控制較好
4. 較佳的刻蝕均勻性控制
5. 超長的平均開腔清潔時間間隔
1.典型沉積材料:硅基化合物,如SiO2, Si3N4, SiOCH, SiOF, Si-H等。硬質材料如SiC等。
2.應用領域 : 微機電 (MEMS)、光電子、集成光學元件、無線設備和功率半導體等
3.制程:PECVD/ICPCVD
1.獨特的反應腔設計提供出色的沉積速率和均勻性,如SiO2典型沉積速率可達520 nm/min。
2. 獨特的應力控制方法(低損傷應力控制)
3. 超長的平均開腔清潔時間間隔